- シリコンカーバイト（SiC）を1100℃以上に加熱することによってSiCを還元し、基板最表面にグラフェンをエピタキシャル成長させます。通常だと全体に何層ものグラフェンが生成されてしまいますが、最適化したSiC基板を最表面を瞬間的に加熱することにより、基板全体に単結晶・単層グラフェンが形成できます。
エピタキシャルグラフェン形成方法
- 低コスト：不活性ガス雰囲気中での高温熱処理で形成
- 高品質：単層・単結晶グラフェン
- 量産技術：原理的にウエハスケールのグラフェンを形成
委託量産テストについて
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お手持ちのSiC基板を用いて、エピタキシャルグラフェンをおつくり致します。なお、求めるエピタキシャルグラフェンの品質やSiC基板によって成膜条件が異なるため条件出し（有償）が必要となります。成膜結果はラマン分光とAFMによる表面観察を行います。
- 基板サイズ：１０×１０ｍｍ
- 基板厚さ：0.35ｍｍ前後
- その他仕様：応相談
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条件が確定したら、その条件を用いて量産を行うことも可能です。量産ご希望の場合は別途ご相談を承ります。
品質
問い合わせ先
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下記フォームより、ご希望の サンプルNo. を記載してお送り下さい。
- FAXでの注文
商品番号、必要数を明記の上、貴社フォーマットにてFAXでお送り下さい。
